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CRF plasma 等離子清洗機

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與傳統技術相較CRF等離子刻蝕機清理無需中后期干燥工藝

與傳統技術相較CRF等離子刻蝕機清理無需中后期干燥工藝:
       等離子與產品表層的反應是等離子刻蝕機的重要機理,大致可分為2種:1種是氣體電離產生的氧自由基活性粒子與產品表層污染物的化學反應;另一種是電離產生的正離子和電子躍遷產品表層的物理反應,使污染物從產品表層脫落。
      根據反應機制,氣體有2種類別,1種是反應性氣體(化學作用),主要是氫、氧等;另一種是非反應性氣體(物理作用),主要是氬、氦、氮。反應性氣體主要是化學反應,電離后氧自由基與表層污染物發生化學反應,排出揮發性物質,達到清理的目的。氫氣重要利用其還原作用與被清理部件表層的污染物發生反應,如金屬表面的氧化物清理;氧氣重要利用其氧化作用,如清理部件表層的有機物。

等離子刻蝕機

       非反應性氣體電離后,重要依靠離子的物理躍遷來清理污染物。有些氣體可以在清理時改變產品的表層性質。例如,氮等離子刻蝕機可以提高金屬材料的硬度和耐磨性。另外2種常用氣體是氬和氦,具有擊穿電壓低、等離子穩定等優點。氬原子的電離能為15.75eV,氬等離子含有大量亞穩態原子,是理想的物理反應氣體。
       與濕法清理加工工藝相比,等離子刻蝕機清理無需中后期干燥工藝,也無需廢水處理。這是1種經濟、高效、環保的清理方法。在完成清理和去污的同時,還可以改變產品本身的表層性能,如提高表層的潤濕性能和膜的附著力。

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