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CRF plasma 等離子清洗機

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crf電漿清洗機刻蝕PTFE粗糙度效果好

crf電漿清洗機刻蝕PTFE粗糙度效果好:
        crf電漿清洗機運行的功率并不是大就好,在較低功率下,處理的薄膜剪切強度隨之功率的增加而增加,達到峰值后強度逐漸下降。感應耦合等離子體蝕刻方式(ICPE)是化學過程和物理過程的綜合結果。它的基本原理是:在低壓下,由ICP射頻電源向環形耦合線圈輸出,通過耦合輝光放電,混合刻蝕氣體通過耦合輝光放電,形成高密度的等離子體,在下電極RF作用下,在基片表面躍遷,基片圖形區域內的半導體材料的化學鍵被打斷,與刻蝕氣體形成揮發性物質,將氣體從基片中分離出來,抽離真空管。

電漿清洗機

       同樣條件下,O2等離子體處理比N2氣等離子體處理效果更好。如果需要進行蝕刻,以及蝕刻后需要清除污垢,浮渣,表面處理,等離子聚合,等離子灰化或任何其他蝕刻應用,我們可以按照客戶的要求,生產出安全可靠的等離子蝕刻機工藝。我公司兼具傳統的等離子型蝕刻系統和反應型離子型蝕刻系統,可以生產系列產品,也可以為客戶定制專用系統。我們可以提供快速/高質量蝕刻,提供所需的均勻度。
       隨之處理時間的延長,薄膜表面接觸角減小,但在一定時間內,接觸角幾乎沒有變化。等離子體處理可用于各種基底,復雜的幾何構形也可進行活化,清洗和鍍膜等。plasma處理的熱負荷和機械負荷較低,因此,低壓等離子也能處理敏感材料。
        以上結果說明,利用crf電漿清洗機表面處理PTFE粘性較好,需要不斷地調整各處理參數以獲得良好的處理工藝,crf電漿清洗機操作簡單,可設定多個實驗參數,同時也可儲存多種工藝參數,這對探尋工藝參數很有幫助。
crf電漿清洗機蝕刻機工藝的典型應用是:半導體/集成電路;氮化鎵;氮化鋁/氮化鎵;砷化鎵/砷化鋁鎵;砷化鎵;磷化銦、鎵/銦鎵化物(InPInGaAs/InAlAs);硅;硅鍺;硅化硅陶瓷(Si3N4);硅的溴化氫;硒化鋅(ZnSe);鋁;鉻;鉑;鉬;鈮;銦;鎢;銦錫氧化物;銦鈦酸鉛;塑料/高分子材料;聚四氟乙烯(PTFE);聚甲醛(POM);聚苯并咪唑(PBI);聚醚醚酮(PEEK);聚酰胺(PFA);聚酰胺(PFA);聚酰胺等。

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